半导体晶圆（硅/玻璃/蓝宝石）激光隐形切割工艺

01原理

激光隐切技术是在加工过程中将脉冲光通过光学透镜的汇聚，使其聚焦在芯片内部材料中，结合不同的功率、脉冲条件使得材料在内部进行烧蚀，破坏化学键，形成一层具有低的机械力学性能的变质层，在蓝膜的扩片作用下，使得芯片分离的一种新型加工方式，这种方式主要优点是损伤发生在芯片内部，不会影响表面的结构破坏，非常适合高端、复杂MEMS结构的划片，本案例中使用德龙激光Inducer-5580隐切设备，选用进口优质激光器，工艺调试窗口广阔， 非常适合不同厚度、不同材质半导体晶圆的切割方案，对器件无产热影响，同时切割过程中无崩边、无硅粉和碎片的风险，适合T形、圆形切割及各种异形结构的切割，能够高效率的完成常规及超薄晶圆的切割任务，是晶圆加工的一种新的有效利器。

02应用

MEMS：高端复杂机械结构的MEMS芯片，比如红外热电堆探测器、硅麦克风产品等；

RFID：随着需求量大增，切割道可以不断缩小，以提高单片晶圆产能，提高性价比；

加速度计：利用硅、石英等加工的微型加速度计产品；

Micro/mini-LED：具有复合衬底、多层结构及微小切割道要求的新型光电器件产品。